Photonics West est le plus grand événement mondial dédié à l'optique et à la photonique, qui rassemble des milliers d'innovateurs dans les domaines de l'optique, des lasers et des technologies quantiques au Moscone Center de San Francisco, en Californie. Cette scène mondiale est le lieu où la recherche de pointe rencontre les applications concrètes. indie présent aux trois salons SPIE, notamment Bios (stand n° 8357), Photonics West (stand n° 4719) et Quantum West (stand n° 510), et proposera cinq présentations techniques couvrant nos solutions optiques, laser et SLED.
Présentations :
- Module optique compact avec diodes superluminescentes RVB et faisceaux de sortie collimatés alignés de manière colinéaire
- Module optique micro-RGB non refroidi avec diodes laser DFB/DBR à longueur d'onde stable et faisceaux de sortie collimatés
- Lasers DFB GaN haute performance de 400 nm à 520 nm
- Émetteur-récepteur à détection cohérente basé sur un laser à semi-conducteur à largeur de raie étroite et un récepteur IQ à photonique sur silicium
Lisez l'aperçu et n'oubliez pas de vous joindre à nous pour une, deux ou toutes nos présentations techniques !
Module optique compact avec diodes superluminescentes RVB et faisceaux de sortie collimatés alignés de manière colinéaire
Quand: 19 janvier 2026 • 17 h 30 – 19 h 00 PST
Nous présentons un nouveau module de source lumineuse RVB miniaturisé et couleur, basé sur une architecture de banc micro-optique avec un faisceau collimaté pour les systèmes d'affichage proches de l'œil, intégrant des diodes superluminescentes à semi-conducteurs (SLED) pour l'émission rouge, verte et bleue. Tous les émetteurs SLED génèrent des niveaux de puissance optique de crête élevés de 350 mW par couleur avec des impulsions de courant électrique courtes à des cycles de service courts, ce qui réduit considérablement la consommation électrique moyenne. Ce nouveau module de source lumineuse SLED RVB non refroidi est doté d'un boîtier en céramique montable sur SMD pour un soudage par refusion direct sur des cartes de circuits imprimés. Il délivre des faisceaux collimatés présentant une circularisation élevée supérieure à 85 % avec de grands diamètres de faisceau 1/e2 d'environ 1,0 mm, alignés de manière colinéaire avec de faibles erreurs d'alignement angulaire.
Où: Salle des affiches (Moscone West, niveau 2) Article : 13821-88
Pour en savoir plus: https://spie.org/photonics-west/presentation/Compact-optical-module-with-RGB-superluminescent-diodes-and-collinearly-aligned/13821-88
Module optique micro-RGB non refroidi avec diodes laser DFB/DBR à longueur d'onde stable et faisceaux de sortie collimatés
Quand : 20 janvier 2026 • 11 h 00 – 11 h 20 PST
Nous présentons le premier module micro-RGB non refroidi réalisé à partir de diodes laser DBR (rouge) et DFB (bleu et vert) haute performance, à longueur d'onde stable et à fréquence unique. Une céramique multicouche pouvant être montée sur SMD sert de dissipateur thermique, mais aussi de banc optique pour les sources lumineuses et les optiques de collimation en espace libre afin de fournir un faisceau de sortie collimaté et circulaire. Les sources laser DBR/DFB fournissent des niveaux de puissance de sortie supérieurs à 50 mW par couleur sur une large plage de températures, avec un décalage de longueur d'onde lié à la température 3 à 4 fois plus faible que celui des diodes laser Fabry-Perot RVB classiques. Cela sera donc avantageux pour les systèmes d'affichage RA/RM basés sur des structures de réseaux holographiques qui présentent un changement significatif de l'angle de diffraction et de l'efficacité en fonction de la longueur d'onde.
Où: Salle 2010 (Moscone West, niveau 2) Document : 13821-57
Pour en savoir plus: https://spie.org/photonics-west/presentation/Uncooled-micro-RGB-optical-module-with-wavelength-stable-DFB-DBR/13821-57
Lasers DFB GaN haute performance de 400 nm à 520 nm
Quand: 20 janvier 2026 • 11 h 10 – 11 h 30 PST
Les diodes laser à rétroaction distribuée (DFB) à base de nitrure de gallium (GaN) permettent une émission à largeur de raie étroite et à fréquence unique dans la gamme 400-520 nm, offrant des sources compactes et efficaces pour des applications dans les domaines des communications, de la détection et des technologies quantiques. Ces dispositifs utilisent des réseaux monolithiques intégrés dans des structures à guide d'onde à crête à mode transversal unique, ce qui permet d'obtenir des taux de suppression des modes latéraux élevés et un fonctionnement stable sur une large plage de courants. Ils présentent des courants de seuil faibles, des rendements différentiels élevés et des rendements à la prise comparables à ceux des lasers Fabry-Pérot. Le réglage de la longueur d'onde est continu et sans saut de mode, avec des sensibilités de ~15 pm/K et 4 pm/mA. Les largeurs de raie intrinsèques sont inférieures à 1 MHz. La conception monolithique du réseau garantit une grande stabilité spectrale (dérive inférieure à 1 pm sur 15 heures) et une variation réduite de la longueur d'onde entre les plaquettes et au sein de celles-ci. Les tests de durée de vie à une puissance de sortie de 50 à 60 mW montrent des performances stables sur 5 000 heures, avec des valeurs MTTF prévues supérieures à 10 000 heures.
Où: Salle 158 de l' (Moscone South, mezzanine supérieure) Document : 13912-19
Pour en savoir plus: https://spie.org/photonics-west/presentation/High-performance-GaN-DFB-lasers-from-400-nm-to-520/13912-19
Diodes laser GaN à faible seuil avec sections de gain ultra-courtes et guides d'ondes passifs
Quand: 21 janvier 2026 • 14 h 50 – 15 h 10 PST
Nous présentons des diodes laser visibles à base de GaN dotées de sections de gain ultra-courtes à pompage électrique intégrées à des régions de guidage d'ondes passives plus longues, fabriquées à l'aide d'une méthode d'épitaxie en deux étapes. Les régions actives sont constituées de guides d'ondes InGaN/AlGaN et de puits quantiques InGaN émettant à près de 450 nm, tandis que les sections passives partagent le même substrat et le même revêtement, mais ne comportent pas de couches actives. Cette architecture active-passive permet un contrôle précis de la longueur de la région de gain et prend en charge des applications telles que les lasers à réflecteur de Bragg distribué, les conceptions de miroirs non absorbants et les plateformes photoniques intégrées. Les dispositifs dotés de sections de gain très courtes de 100 µm et de segments passifs pouvant atteindre 500 µm présentent des courants de seuil inférieurs à 10 mA dans des configurations à guide d'onde à crête monomode avec une qualité de faisceau élevée. Les pertes optiques mesurées dans les sections passives sont inférieures à 2 cm⁻¹, avec un rendement de couplage actif-passif d'environ 90 %. Un laser à onde continue efficace est maintenu, confirmant l'adéquation de l'architecture pour les applications photoniques à faible puissance, notamment les écrans proches de l'œil, l'optique intégrée ou les capteurs optiques alimentés par batterie.
Où: Salle 157 (Moscone South, mezzanine supérieure) Document : 13896-37
Pour en savoir plus: https://spie.org/photonics-west/presentation/Low-threshold-GaN-laser-diodes-with-ultra-short-gain-sections/13896-37
Émetteur-récepteur à détection cohérente basé sur un laser à semi-conducteur à largeur de raie étroite et un récepteur IQ à photonique sur silicium
Quand: 20 janvier 2026 • 11 h 20 – 11 h 40 PST
Nous présentons un émetteur-récepteur compact à détection cohérente qui intègre un laser à semi-conducteur DFB à largeur de raie étroite, un récepteur en phase et en quadrature (IQ) à photonique sur silicium et un amplificateur optique à semi-conducteur (SOA), le tout regroupé dans un moteur optique de 25 × 18 mm. Le laser, verrouillé sur un discriminateur de fréquence, atteint un bruit de fond de fréquence de 3 Hz²/Hz et une largeur de raie lorentzienne de 10 Hz. Il maintient une stabilité de longueur d'onde à moins de 2 pm entre -15 °C et +70 °C. Nous démontrons une OFDR haute résolution sur 50 m et une C-OTDR longue portée sur 50 km, permettant une détection photonique distribuée évolutive et haute performance.
Où: Salle 3014 (Moscone West, niveau 3) Document : 13904-18
Pour en savoir plus: https://spie.org/photonics-west/presentation/Coherent-sensing-transceiver-based-on-narrow-linewidth-semiconductor-laser-and/13904-18